PANJIT、電力変換システム用に650Vと1200Vの新しいSiCショットキーバリアダイオード、TO-247ADラインアップを発表
新しいSiCショットキーバリアダイオードは、逆回復電流をゼロにすることで優れた性能を実現し、厳しい使用条件下におけるシステム温度の低減を確約
PANJITは、シリコンベースのデバイスよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現した、650Vと1200VのSiCショットキーバリアダイオード最新シリーズを発表しました。 PANJITが新たにリリースした650Vと1200Vのシリコンカーバイドダイオード製品シリーズは、スルーホールタイプのTO-220AC、TO-263、TO-252AAと、新たに加わったTO-247AD-2LD/3LDパッケージを採用しており、定格電流は4A～40Aの範囲となっています。
PANJITのSiCショットキーバリアダイオードは、逆回復電流ゼロ、低い順方向電圧降下、高温の影響を受けないスイッチング動作、高い突入電流耐性、優れた熱性能を備えています。さらに、SiC技術は、-55℃から175℃の動作温度範囲において、低導通損失、高安定性、高耐用性を実現することができます。
この新しいSiCショットキーバリアダイオードは、PVインバータ、EV充電器、産業用モーター、電気通信・サーバー用電源、家電製品など、システム効率の向上と省スペース化という課題に直面する、各種アプリケーションの電力変換回路の設計技術者に向けたものです。 PANJITが提供する650Vと1200Vのシリコンカーバイドダイオードは、次世代の電源ユニット設計に最適なソリューションです。
製品の特長：
• 低導通損失
• 逆回復ゼロ
• 高温の影響を受けないスイッチング
• 高い突入電流耐性
• 優れた堅牢性と耐用性
• 175℃の高い接合部温度
製品用途：
製品性能：
SiC SBD製品ラインアップ：